一、HTRB测试的核心原理

HTRB的本质是一个“加速应力实验”：

在高温环境中，对半导体PN结施加接近或略低于额定值的反向电压，观察其漏电与击穿特性的变化。

典型条件：

  • 温度：125°C / 150°C / 175°C（SiC甚至更高）

  • 反向电压：80%~100% VRRM（重复峰值反向电压）

  • 时间：24h ~ 1000h（甚至更长）

  • 湿度：通常干燥（区别于THB）

二、为什么“高温 + 反偏”有效？

HTRB的加速机理来自两个关键物理效应：

1. 温度加速载流子行为

温度升高会导致：

  • 本征载流子浓度增加

  • 反向饱和电流指数增长

  • 缺陷能级更容易参与导电