IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种具有集成栅极的双极晶体管，可以实现高功率、高速度和高电流的组合优势。IGBT主要参数包括导通压降(VCEsat)、阻断压(VCEO)、最大耗散功率(PD)、最大电流(IC)、开关速度等。

IGBT的测试方法通常包括静态参数测试和动态参数测试。在静态参数测试中，可以使用万用表测量VCEsat、VCEO等参数。而在动态参数测试中，需要使用示波器、信号发生器等仪器测量开关速度、电流波形等参数。

与MOSFET相比，IGBT有以下几个优势：
1.电流处理能力更强：IGBT的电流处理能力比MOSFET更强，适用于高功率应用。
2.开关速度更快：IGBT的开关速度比MOSFET更快，适用于需要高速开关的应用。
3.静态电流损耗更低：IGBT的导通压降较小，静态电流损耗更低。
4.电压容忍能力更强：IGBT的阻断压更高，电压容忍能力更强。

然而，IGBT也存在一些缺点，如开关损耗较大、使用限制较多等。因此，在选择IGBT或MOSFET时，需要根据具体应用需求进行综合考量。

总的来说，IGBT作为一种高性能功率器件，在各种高功率、高速度、高电流应用中有着广阔的发展前景。通过适当的测试方法及与MOSFET的对比分析，可以更好地理解IGBT的性能特点，为其合理应用提供参考依据。