ROHM半导体近日宣布开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET。该产品采用了ROHM自主生产的耐紫外线二氧化硅保护薄膜和沟道尺寸0.4µm级别的超低电阻分散型结构。

据悉，在市场上现有的Nch MOSFET产品中，导通电阻已经相当低。在这种情况下，ROHM半导体面对的主要困难是如何进一步降低导通电阻。对此，ROHM半导体开发出了基于新结构的Nch MOSFET精确调节了沟道的深度，实现了超低电阻的同时确保了稳定性。

该产品的导通电阻仅有0.9mΩ，而且即使在高电压下也能保持低导通电阻的特性，可用于汽车、电池管理、UPS等提高效率的应用领域。

此外，ROHM半导体还使用了一种新的电压调节技术，从而实现了在电压范围内的高效使用。该技术可以防止迁移阻抗和其他因素影响MOSFET的电气性能，从而扩大了它的工作范围。

ROHM半导体表示，该产品基于自主开发，将推广到世界各地的客户，以促进高效率、高性能的电子应用的发展。

该产品的发布将对MOSFET市场产生积极影响。随着人们对绿色、节能、环保等标准的不断提高，对于低功耗、高效率的电子器件需求也越来越大。因此，具有超低导通电阻的MOSFET将成为未来市场的重要趋势。