UPV0J391MGD1TD 时间：:59 阅读：52

UPV0J391MGD1TD 是一款由 Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装型齐纳二极管，专为高精度电压参考和稳定应用设计。该器件采用小型化封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路板布局。其主要功能是通过稳定的反向击穿电压特性，在电路中提供精确的电压钳位或参考电压。该型号中的前缀“UPV”通常代表罗姆的小型表面贴装齐纳二极管系列，而“0J”表示其电压等级，“391”指示标称齐纳电压为3.9V，后缀“MGD1TD”则标识了其封装形式、卷带包装规格及环保符合性。该器件广泛应用于电源管理、电压检测、信号调理以及嵌入式系统中的稳压需求场景。得益于先进的制造工艺，UPV0J391MGD1TD具备良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在多种环境条件下保持性能一致性。 参数

类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-923
　　标称齐纳电压：3.9V
　　齐纳电压容差：±1%
　　最大齐纳阻抗：35Ω
　　额定功率：200mW
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　反向电流（IR）：0.1μA 最大（在6V下）
　　测试电流（IZT）：5mA 特性

UPV0J391MGD1TD 具备优异的电压稳定性和低动态阻抗，确保在负载变化或输入波动时仍能维持精确的输出电压。其±1%的电压容差显著优于普通齐纳二极管，适用于对精度要求较高的模拟电路和参考源设计。该器件采用SOD-923超小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.0mm x 0.6mm x 0.45mm，极大节省PCB空间，适合智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等紧凑型电子产品。
　　该齐纳二极管具有出色的温度系数优化设计，在宽温度范围内表现出较小的电压漂移，典型值低于±0.05%/°C，提升了系统在不同工作环境下的稳定性。此外，其低反向漏电流（最大0.1μA @ 6V）有效减少待机功耗，特别适用于电池供电系统中需要节能的设计。器件还具备良好的瞬态响应能力，能够快速抑制电压尖峰，起到一定的保护作用。
　　UPV0J391MGD1TD 符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，支持回流焊工艺，兼容现代自动化贴片生产线。其结构采用玻璃钝化技术，提高了表面绝缘性和抗污染能力，增强了长期使用的可靠性。由于其高精度与小体积特性，常被用于替代TL431等分立式基准源方案，尤其在空间受限但需稳定3.9V参考的应用中表现突出。同时，该器件经过严格的质量控制流程，具备高批次一致性，便于批量生产中的参数匹配与调试。 应用

主要用于便携式电子设备中的电压参考、电源监控电路、ADC/DAC偏置电压生成、过压保护电路、信号电平转换以及各类需要稳定3.9V基准的模拟前端设计。常见于智能手机、平板电脑、无线模块、传感器接口、电池管理系统和工业控制单元中。也适用于需要高精度稳压的小信号处理电路和低功耗嵌入式系统。