UVZ2E4R7MPD 时间：:34 阅读：29

UVZ2E4R7MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺技术制造，专为高效率、低功耗应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装型SMC（H）封装中，适合需要节省PCB空间的应用场景。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、良好的热稳定性和高可靠性，适用于电池供电设备、电源管理模块以及负载开关等应用领域。UVZ2E4R7MPD具有优异的开关性能和较低的栅极电荷，能够有效减少开关损耗，提升系统整体能效。此外，该MOSFET具备较高的雪崩耐量和抗瞬态电压能力，增强了在严苛工作环境下的稳定性与安全性。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其适用于汽车电子系统中的关键控制电路。 参数

型号：UVZ2E4R7MPD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.7A（@TC=75°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14A
　　导通电阻RDS(on)：47mΩ（@VGS=-4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：64mΩ（@VGS=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：800pF（@VDS=-10V）
　　输出电容（Coss）：380pF（@VDS=-10V）
　　反向传输电容（Crss）：90pF（@VDS=-10V）
　　栅极电荷（Qg）：11nC（@VGS=-10V）
　　功耗（PD）：2.5W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SMC(H)
　　安装类型：表面贴装 特性

UVZ2E4R7MPD采用ROHM专有的Trench MOS结构，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡，从而显著降低传导损耗并提高电源转换效率。该器件在VGS=-4.5V条件下可实现低至47mΩ的RDS(on)，即便在低驱动电压下（如VGS=-2.5V），仍能保持64mΩ的低导通阻值，使其适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的低压控制系统。这种低阈值特性有助于简化驱动电路设计，减少外围元件数量，进而降低成本与PCB面积。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于其SMC(H)封装的优化散热设计，在有限的空间内提供了良好的热传导路径，确保长时间高负载运行时的可靠性。同时，器件内部结构经过优化以抑制寄生参数，降低开关过程中的振荡风险，提升EMI性能。其输入电容仅为800pF，配合11nC的总栅极电荷，使得驱动功耗极低，非常适合用于便携式设备和电池供电系统中频繁启停的开关应用。
　　UVZ2E4R7MPD还具备强大的鲁棒性，拥有高雪崩能量承受能力和良好的dV/dt抗扰度，能够在电源突变、负载切换等瞬态工况下维持稳定工作。其符合AEC-Q101标准，意味着在汽车级温度范围内（-40°C至+125°C以上）依然表现出稳定的电气特性，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动等对可靠性要求极高的场合。此外，该器件无铅且符合RoHS指令，支持绿色制造流程，广泛应用于工业、消费类及汽车电子领域。 应用

UVZ2E4R7MPD广泛应用于多种中低功率电源管理场景，尤其适合作为高端开关用于同步整流、DC-DC转换器、LDO旁路控制以及电池保护电路中。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，常被用作负载开关或电源路径管理单元，利用其低导通电阻和快速响应特性来实现高效的电源分配与节能控制。
　　在汽车电子系统中，该器件可用于座椅调节电机驱动、车窗升降控制、仪表盘背光调光电路以及车载充电器内的电源开关模块。由于其通过AEC-Q101认证，具备良好的温度稳定性和长期可靠性，因此能在发动机舱附近或高温环境下可靠运行。
　　此外，UVZ2E4R7MPD也常见于工业控制设备中的继电器替代方案、PLC数字输出模块、传感器供电开关等应用，凭借其固态开关优势（无机械磨损、响应速度快、寿命长）取代传统电磁继电器，提升系统整体可靠性。在智能家居设备如智能插座、照明控制器中，也可用于实现远程通断控制与过流保护功能。 替代型号

DMG2305UX-7
　　Si2301ADS-T1-E3
　　FDC630P