1. 纳米工艺节点的本质

• 28nm、14nm、3nm 这些说法，指的是 半导体制造工艺的“节点”尺寸。

• 早期，它直观地代表了 晶体管栅极长度（Gate Length），也就是 MOSFET 的关键尺寸。
  比如 90nm 工艺，当时的晶体管栅极大约就是 90nm。

但是，到了 20nm 以下，情况变了：

• 工艺宣传的“nm数值”已经 不再严格对应晶体管的实际物理尺寸。

• 现在的“3nm/5nm/7nm”更多是一种 工艺世代的代号，代表晶体管密度和性能提升水平。
  这也是为什么 7nm 工艺的实际栅长可能在 20nm 左右。

2. 纳米等级意味着什么

主要体现在三个方面：

1. 晶体管密度

• 28nm 工艺：大约几千万晶体管 / mm²

• 7nm 工艺：可达一亿级别 / mm²

• 3nm 工艺：更高密度

• 工艺越先进，单位面积内能集成的晶体管数量越多。

• 例如：

2. 性能提升

• 晶体管更小，开关速度更快，逻辑运算更快。

• 时钟频率可以提升，延迟更低。

3. 功耗降低

• 更小的晶体管在相同电压下耗能更少。

• 同时可以支持更低的工作电压，从而降低整体功耗。

• 这就是为什么手机 SOC 一直追求更小工艺，续航和性能都能提升。

3. 不同工艺节点的特点

• 28nm：传统平面 CMOS 工艺的最后一代，大量用于中端芯片（如一些 IoT 芯片、车规芯片）。

• 14nm / 16nm：FinFET（三维鳍式晶体管）开始应用，性能与功耗大幅优化。

• 7nm / 5nm：先进 FinFET，手机和高端 CPU/GPU 的主力。

• 3nm：进入 GAA（环绕栅极，Gate-All-Around）时代，进一步提升能效比。

4. 总结一句话

“28nm、14nm、3nm 工艺”代表的是 芯片制造工艺的世代演进：

• 数字越小，芯片的晶体管通常越密集、性能越强、功耗越低；

• 但同时制造难度和成本也更高。