NMOS和PMOS导通的条件
更新时间：2026-02-06 08:46:46
晨欣小编
NMOS（N沟道MOSFET）
导通条件：
栅源电压 VGS 必须大于阈值电压 Vth
VGS>Vth
其中：
VGS=VG−VS
Vth 通常为正值（例如 1~2V）
漏极电流 ID 开始流动
当满足 VGS>Vth 时，NMOS 从截止状态进入线性区或饱和区，开始导通。
特点：
源极通常接地（0V）
漏极接负载或电源电压
栅极高电平导通（逻辑 1）
导通时漏极对源极为低阻态。
PMOS（P沟道MOSFET）
导通条件：
栅源电压 VGS 必须小于阈值电压 Vth
VGS<Vth
其中：
Vth 通常为负值（例如 -1~-2V）
VGS=VG−VS
漏极电流 ID 开始流动
当满足 VGS<Vth 时，PMOS 从截止状态进入导通。
特点：
源极通常接电源（Vdd）
漏极接负载或地
栅极低电平导通（逻辑 0）
导通时漏极对源极为低阻态。
简单对比
| 类型 | 导通条件 | 栅极电平 | 源极位置 | 阈值电压 Vth |
|---|---|---|---|---|
| NMOS | VGS>Vth | 高电平 | 接地 | 正值 |
| PMOS | VGS<Vth | 低电平 | 接Vdd | 负值 |
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