势垒二极管
2025-06-30 10:56:01
晨欣小编
势垒二极管是指在其 PN 结或金属-半导体接触区域形成势垒势能的二极管,能够对电流形成整流、调制、检波等作用。最常见的势垒二极管为:
肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)
变容势垒二极管(Varactor Diode)
隧穿势垒二极管(Tunnel Diode)
其中,肖特基二极管是最典型的势垒二极管,其在金属-半导体接触处形成的势垒层具有非常短的载流子寿命,因此具备极高的开关速度。
势垒二极管的关键在于势垒区的电场控制作用。以下以肖特基势垒二极管为例:
金属与 N 型半导体接触后,因金属功函数与半导体不同,会产生电子流动
在接触区域形成势垒,阻止电子反向流动
电压施加后可改变势垒高度,控制电子通过程度
由于没有载流子复合过程,开关速度远快于普通 PN 结二极管。
特性
描述
低正向压降
如肖特基二极管典型为 0.2V~0.4V,比硅二极管更低
极快的开关速度
纳秒(ns)或亚纳秒级,适合高速数字和射频应用
小结电容
提高高频性能,适合 GHz 级信号
低反向恢复时间
几乎为零,避免交流波形失真
有限的反向耐压
多在 30~100V 范围内,需注意应用电压限制
金属-半导体接触
用于开关整流、检波、混频
广泛用于开关电源、射频整流、数字高速电路
利用 PN 结电容随反向偏压变化的特性
应用于振荡器、调谐电路、频率合成器等
利用隧道效应形成负阻特性
可用于高频振荡器、功率控制器等
用于产生高速脉冲、频率倍增
特别适用于微波系统和雷达波形整形
应用方向
具体场景
射频通信
混频器、检波器、射频整流
开关电源
输出整流,高速斩波电路
数字电路
高频保护电路、耦合电路
雷达与微波
高频倍频、脉冲整形
电视和广播接收
调谐电路、同步恢复电路
由于载流子寿命极短(亚纳秒级),势垒二极管可在 GHz 频率下正常工作,远优于传统硅二极管,适用于无线通信、雷达、5G 射频模组等领域。
肖特基势垒二极管正向压降低至 0.2~0.3V,可大幅降低系统功耗,提高电源转换效率,广泛应用于低压大电流供电系统。
极短的反向恢复时间让其特别适合数字信号快速转换、RF脉冲处理等对速度要求极高的系统。
变容势垒二极管、阶跃二极管等可根据偏置电压灵活调节电容值、频率响应,适合动态调谐与频率控制系统设计。
型号
厂商
类型
特点描述
BAT54
ON Semi
肖特基二极管
超小封装、适合低压整流
HSMS-2850
Broadcom
肖特基检波二极管
高频混频与检波,GHz级频率
BBY58-02V
Infineon
变容二极管
高频调谐,适合VCO设计
1N5711
Vishay
射频肖特基二极管
高频整流、低噪声设计
MA44700
MACOM
隧道二极管
负阻区振荡器专用
关键参数
说明
最大反向电压
应高于电路工作峰值,避免击穿
结电容Cj
越小越好,提升高频性能
反向恢复时间trr
越短越好,适合高速开关
正向压降Vf
应低于0.4V,降低导通损耗
封装尺寸与散热
大电流应用需考虑封装热阻性能
高频布线要短直
过长引线将引入寄生电感,影响频率响应
反向电压余量应足够
电路中存在峰值,应确保不会触发击穿
EMC 与抗干扰设计
高频应用建议加装滤波与屏蔽措施,抑制谐波
器件匹配与阻抗匹配
射频设计需严格控制匹配阻抗,避免反射损耗
势垒二极管是现代射频与高速电子技术中不可或缺的重要元器件。无论是在射频前端、微波电路、数字高速系统,还是在工业电源整流、高频调制中,它都凭借其低压降、高速响应、优异的频率特性,展现出不可替代的优势。
在选型与设计中,充分考虑其频率特性、电容、封装、功率与电压参数,将有助于发挥其最大性能优势,为高效稳定的电子系统打下坚实基础。
BSMD0603C-1400T
HoJLR2512-3W-3mR-1%
S3M-GK
TCC0805COG682J500BT
AZ431AN-ATRG1-MS
MGR01WJ0204A10
MS104R-5R6NT
PF152M016G125PCLBH
PF152M016G125PCRBH
PZ254V-12-4P
海量现货云仓
闪电发货
原厂正品 品质保障
个性化采购方案
售前客服
售后客服
周一至周六:09:00-12:00
13:30-18:30
投诉电话:0755-82566015
扫一扫,加我微信
感谢您的关注,当前客服人员不在线,请填写一下您的信息,我们会尽快和您联系。