LP2985-33引脚图
2025-05-16 11:06:34
晨欣小编
LP2985-33DBVR 是一款固定输出3.3V、最大输出电流150mA的低压差线性稳压器,采用SOT-23-5封装,具有超低静态电流(65μA典型)与极佳的电源抑制比(PSRR),非常适合为噪声敏感的模拟或射频电路供电。
以下是LP2985-33的标准引脚图结构(顶视图):
lua复制编辑 +---------+IN |1 5| VOUT GND |2 4| Bypass |3 | +---------+ EN
推荐电压范围:2.5V 至 16V。
应并联陶瓷电容(如1μF)以抑制输入电压波动,确保LDO稳定启动。
输入电压需高于输出电压+压差(Dropout)值,通常为280mV(@150mA负载)。
器件公共接地点,与系统地相连。
PCB设计中应确保GND路径短而低阻,防止电源噪声回流干扰。
为数字输入引脚,控制芯片开关。
当EN为高电平(典型门限为1.4V)时,芯片工作;为低电平时,进入关断状态。
建议EN接MCU控制IO口,或通过上拉电阻直接拉高。
接一个10nF陶瓷电容至地,可有效降低输出噪声至30μVrms以下。
可选引脚,但对于精密模拟或射频供电建议必须接入旁路电容。
提供稳定的3.3V输出,最大负载电流为150mA。
建议输出端并联1μF~10μF的低ESR陶瓷电容(如X7R)以提升稳定性与响应速度。
输出电压精度控制在±1.5%以内(满温范围)。
以下是LP2985-33在实际电源设计中的典型应用:
csharp复制编辑 Vin | [Cin] | IN ---+----------- VOUT --> +3.3V 输出 | | [LP2985-33] [Cout] | | GND GND \ EN<-- 控制电平 (IO) / Bypass -> [10nF]
Cin:建议1μF~10μF陶瓷电容。
Cout:建议1μF~10μF低ESR电容,放置尽量靠近芯片输出端。
Bypass:10nF电容连接至地,以降低输出噪声。
热管理:虽然SOT-23封装热阻较高,但可通过扩大GND铜箔面积改善热散效果。
布局优先级:IN与OUT两端的去耦电容应靠近引脚布放,缩短回路面积,减小ESD与EMI影响。
旁路电容接地尽量独立:避免地回流路径引起电压抖动。
EN控制引脚拉电平前需确认上电时序,以免误触发LDO输出或造成系统启动异常。
高稳定性:输出电压精度 ±1.5%,满足大多数MCU和模拟芯片供电需求。
低功耗:静态电流仅为65μA,延长电池寿命。
高PSRR性能:在1kHz下达74dB,有效抑制输入电源噪声。
超低输出噪声:搭配Bypass电容后,输出噪声低至30μVrms,非常适合高精度模拟供电。
封装小巧,易于布板:SOT-23-5封装节省PCB空间。
LP2985-33是一款低噪声、高性能、低功耗的LDO芯片,广泛应用于多种对电源要求严格的场合。掌握其引脚图及功能布局,有助于实现高可靠性的电源管理系统。无论您是从事嵌入式硬件开发、通信设备设计,还是电池供电产品方案开发,LP2985-33都将是您值得信赖的稳定电源芯片之一。
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