全面剖析 LDO 原理,对比 PMOS LDO 和 NMOS LDO 特性差异
2025-05-14 10:15:25
晨欣小编
LDO 是一种 线性稳压器,通过线性方式调节输入电压和输出电压之间的差值。它主要由以下几个部分构成:
带隙参考源(Bandgap Reference):提供稳定的参考电压;
误差放大器(Error Amplifier):将参考电压与反馈电压比较,并产生控制信号;
功率管(Pass Transistor):控制输出电流的大小,关键器件;
反馈网络:检测输出电压并反馈给误差放大器;
补偿电路:提高系统稳定性和瞬态响应。
LDO 的关键性能指标包括:压差(Dropout Voltage)、静态电流(Quiescent Current)、负载调整率(Load Regulation)、线路调整率(Line Regulation) 等。
压差是指 当LDO输出电流为最大时,输入电压与输出电压之间的最小差值。较小的压差可以使系统在较低的输入电压下仍能保持稳定输出,有利于延长电池寿命。
类型
功率管
特点
PMOS LDO
P沟道MOS
输入压差小、静态电流低、适用于低功耗
NMOS LDO
N沟道MOS
驱动速度快、瞬态响应好、适合高电流
结构原理: PMOS LDO 使用一个 P型 MOS 管作为功率传输器件,其源极接输入电压,漏极接输出端。
特点总结:
压差较低:因为PMOS导通时,源极电压高,Vgs接近零即可导通;
静态功耗低:PMOS只需较弱驱动,适合低功耗应用;
控制简单:不需要额外电荷泵或偏置电压;
带宽受限:由于PMOS迁移率较低,开关速度慢,瞬态响应一般;
效率在高电流时较差:导通电阻偏大,功耗上升。
应用典型: 便携式设备、传感器供电、低功耗IoT模块等。
结构原理: NMOS LDO 使用 N型 MOS 管为功率管,源极接地,漏极输出。
驱动复杂:需将控制电压提高至Vin以上,通常需要引入电荷泵(Charge Pump);
导通能力强:N型MOS的电子迁移率高,适合大电流应用;
带宽高,响应快:误差放大器的环路速度快;
压差较高:必须保持栅压大于源极压一定值,导致Dropout Voltage上升;
静态电流较高:电荷泵、偏置电路带来额外功耗。
应用典型: 电信系统、高性能芯片供电、大电流负载驱动场景。
参数/特性
控制电路复杂性
低,直接由误差放大器控制
高,需电荷泵提供高栅压
驱动能力
中等
强
开关速度(带宽)
慢,适合慢变负载
快,适合快速负载变化
压差(Dropout)
低(可小于200mV)
高(需保证Vgs,常>300mV)
静态电流
低(1~10μA)
高(因驱动电路功耗)
芯片面积
相对大(PMOS体积大)
小(NMOS导通效率高)
效率(高负载)
较低
较高
稳定性补偿设计
相对复杂
易实现高速响应
适用领域
低功耗应用,如穿戴设备、MCU供电
高性能应用,如CPU、FPGA、DDR供电
选择LDO类型需结合实际系统需求:
注重低功耗、长续航 → PMOS LDO 更适合
追求快速响应、大电流驱动 → NMOS LDO 更合适
空间受限、无需复杂控制逻辑 → 选PMOS LDO
有足够输入裕量、容忍略高压差 → 选NMOS LDO
设计建议: 对于电池供电系统,PMOS LDO 是主流选择;而对于对电源响应速度要求高的通信模块或多电压供电芯片,NMOS LDO 是更优选。
应用场景
推荐LDO类型
说明
蓝牙耳机、智能手环
芯片空间小,静态电流控制重要
工业MCU系统
电源电压稳定,低噪声、低功耗优先
高速ADC、DAC供电
PMOS或NMOS均可
视乎是否有低噪声和高响应要求
FPGA/DDR供电
需大电流,瞬态响应好
多电压域SOC芯片
可并联多个NMOS通道实现动态负载追踪
随着对能效、尺寸和性能要求的提升,LDO 技术也在不断进步:
集成智能负载检测:实现自动负载调节;
低IQ技术:实现 <1μA 的静态电流;
动态压差调节:提升轻载效率;
多模式切换:支持HFM(High Frequency Mode)与LPM(Low Power Mode)动态切换。
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XC1704LPC44C
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