什么是pwm死区,pwm死区的知识介绍
2025-04-30 11:02:22
晨欣小编
PWM死区是指在全桥或半桥驱动电路中,为了防止高、低桥臂器件同时导通而在驱动信号之间人为插入的一段空白时间。这段时间内,两个驱动信号都为低电平,从而避免功率器件发生“直通”(shoot-through)现象。
设想一个半桥驱动结构,上桥臂和下桥臂各有一个MOSFET。如果上桥臂刚关闭,下桥臂就立即导通,而器件关断存在延迟,就可能发生两管同时导通,从而造成电源短路,烧毁器件。为避免此类情况,设计者需在两个信号之间加入“死区时间”。
PWM死区并不是器件自身的特性,而是人为设计的保护措施。其产生原因主要包括以下几点:
器件的开关延迟(Switching Delay)MOSFET、IGBT等功率器件在开通或关断时存在延迟,如上升时间(Rise Time)和下降时间(Fall Time),这会导致实际导通/关断不完全同步。
驱动时序不一致驱动器件响应时间、通道差异、布线长度差异等因素都会导致上下桥臂的驱动信号存在偏差。
防止直通短路在半桥或全桥电路中,若上下桥臂同时导通,会形成从正电源到地的低阻抗通路,造成器件烧毁,因此需要设计死区。
使用带死区控制功能的驱动芯片如IR2110、IR2184等集成了可调死区时间功能,可通过外部电阻设定死区长度,简化设计。
利用逻辑门延迟构建死区通过施密特触发器、电阻电容延迟网络或可编程逻辑器件(如FPGA)控制时序,手动加入死区时间。
通过MCU或DSP编程实现大多数微控制器(如STM32、TI C2000)提供PWM死区配置寄存器,可以在固件中设定精确的死区时间(单位为纳秒或计数周期)。
定时器配置采用高级定时器设置互补PWM输出,并通过专用寄存器(如STM32的BDTR寄存器)设定死区时间。
不能太短太短可能不能完全覆盖功率器件的延迟时间,存在直通风险。
不能太长死区过长会影响输出波形,导致功率损耗增加、谐波升高、效率降低。
建议设置一般设置在器件最大关断延迟的1.22倍,例如器件最大关断延迟为100ns,则死区设置在120200ns较为合适。
在三相无刷直流电机(BLDC)驱动系统中,PWM控制用于调节电机转速和扭矩。为避免桥臂短路,必须在高低桥切换过程中插入死区。
在逆变电源(如太阳能逆变器)中,PWM控制高频切换以模拟正弦波输出,死区的设定直接影响波形失真度及系统效率。
在同步整流电路中,使用MOSFET替代肖特基二极管提升效率,但必须控制上下管之间不同时导通,死区控制至关重要。
死区时间过长会导致波形畸变,输出电压降低。
死区时间过短则可能引起上下管直通,导致过热甚至炸管。
依据器件数据手册设定最小安全死区
利用示波器观察PWM上下桥臂波形进行微调
高频应用建议采用高分辨率PWM模块,提升精度
一些高级控制器(如TI的C2000系列)支持死区补偿功能,可自动调整PWM波形,使输出更接近理想正弦波,减少死区引起的失真。
PWM死区作为功率电路中不可或缺的保护机制,对于系统安全稳定运行起着关键作用。合理设计与调试PWM死区时间,可以有效防止上下桥臂导通冲突,避免功率器件损坏,同时提升系统效率与输出波形质量。
随着电力电子技术的不断进步,越来越多的智能控制芯片和驱动器集成了死区控制与补偿功能,为工程师简化设计、提升性能提供了有力工具。因此,在设计PWM控制系统时,深入理解PWM死区的原理与实践方法,具有重要的工程价值。
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