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国巨低感值电容的详细资料

 

更新时间:2026-02-05 10:10:22

晨欣小编

2023-02-03 13:44:51


国巨的低感值电容能有效地抑制高频噪音,降低输出电压时产生的涟波;特殊的逆转设计可改善电容的ESL使其成为IC封装应用中的必备项目。

CL低感值电容特点:


1、与一般电容长宽边相反的低ESL电容器;

2、用于高频去耦应用

Size
TCC
Voltage
Max Temp.
Cap. Min.
Cap. Max.
Datasheet
0204X5R10V85℃10nF100nF
0306X5R10V85℃10nF220nF
0508X5R10V85℃100nF1.0uF
X5R16V85℃100nF220nF
X5R25V85℃10nF100nF
0612X5R16V85℃220nF1.0uF
X5R25V85℃100nF1.0uF
X5R50V85℃10nF470nF
0306X7R10V125℃10nF220nF
0508X7R10V125℃100nF1.0uF
X7R16V125℃100nF220nF
X7R25V125℃10nF100nF
0612X7R16V125℃220nF1.0uF
X7R25V125℃100nF1.0uF
X7R50V125℃10nF470nF



 

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