MOS场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是一种半导体器件，被广泛应用在电子设备和集成电路中。MOSFET的工作原理是基于场效应。

MOSFET是由金属-氧化物-半导体结构组成的。在MOSFET中，半导体区域被氧化物绝缘层隔开，形成了栅极、漏极和源极三个主要区域。当在栅极上加上电压时，产生的电场会影响半导体中的载流子分布，从而控制了漏极和源极之间的通道电导率。

MOSFET可以分为N沟道型（N-channel）和P沟道型（P-channel）两种类型。N沟道型MOSFET中主要是通过电子的传导进行电流的控制，而P沟道型MOSFET中主要是通过空穴的传导进行电流的控制。

MOSFET的工作模式可以分为导通状态和截止状态两种。当在栅极上加上一个正电压时，MOSFET处于导通状态，电流可以从漏极流向源极；当在栅极上加上一个负电压时，MOSFET处于截止状态，电流无法流通。

MOSFET以其高输入阻抗、低静态功耗和高工作频率等优点被广泛应用在各种电子设备中，如功率放大器、开关电路和模拟集成电路等。在现代电子技术领域，MOSFET已经成为了不可或缺的器件之一。