IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是两种常见的功率半导体器件，在电力电子领域中被广泛应用，但它们在性能和应用方面有着一些明显的区别。

首先，IGBT是一种复合型功率器件，具有MOS管和双极型晶体管的特性。它的控制极为MOS管，主导极为双极型晶体管，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，适合中高频率应用。而MOS管是一种单极型器件，主要由栅极、漏极和源极三个电极组成，具有开关速度快、效率高等特点，适合低频率应用。

其次，在性能方面，IGBT具有较高的开关速度、电压容忍度和导通压降更低的优点，适用于高频率开关电源和逆变器等应用。而MOS管在低频率开关电源、直流稳压器等应用中表现出色，具有低漏电流和占空比调节范围广等优点。

在功率损耗方面，IGBT在导通状态下损耗比MOS管大，但在关断状态下损耗较小，适合需要频繁开关的场合；而MOS管在阻断状态下损耗更小，适合长时间导通的情况。

另外，IGBT的结构复杂，成本相对较高，但输出功率密度大，适合高性能要求的应用；而MOS管结构简单，成本较低，适合低成本应用场景。

综上所述，IGBT适用于高频率、高功率密度的应用，而MOS管适用于低频率、低功率密度的应用。在选择器件时，需要根据具体应用场景的需求和性能要求来进行合理选择。