IGBT是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是一种新型的半导体功率开关器件，具有MOS管的输入特性和双极型晶体管的输出特性，结合了二者的优点。IGBT工作原理是在MOS管的基础上引入双极型晶体管结构，其核心部件是P型硅芯片，上面覆盖一层绝缘物质，再用N型掺杂形成N+雪崩区，然后在N+雪崩区上再掺杂P+电源区，最后在P+电源区上再掺杂N型电流扩散区，形成了NPNP结构。

IGBT工作原理主要包括导通和截止两种状态。当MOS管的栅极加上一个正电压，使得栅结下方的N+雪崩区和P型芯片之间的势垒被消除，P+电源区的电流扩散区和N+雪崩区之间形成一条导通路径，此时IGBT处于导通状态，可以导通大电流。当栅极施加零电平或负电压时，电流扩散区和N+雪崩区之间的势垒增加，导致IGBT截止，停止导通。

IGBT的作用在于用来控制电压和电流，实现功率电子器件的精确控制。它广泛应用于变频器、电力系统、电机驱动等领域，能够实现高效的功率转换和电力调控。IGBT具有导通损耗低、开关速度快、控制方便等优点，但也存在着热耗散大、开关损耗高等缺点，因此在使用过程中需要结合具体情况去选择合适的电子器件。总的来说，IGBT的工作原理深奥，但是只要掌握了其基本原理和特点，就可以准确地使用和控制该器件，实现更高效的电力应用。