IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高频功率半导体器件，具有晶体管的高输入阻抗和功率MOSFET的低导通压降优点。在现代电力电子设备中被广泛应用，如逆变器、变频器、电动汽车驱动器等。IGBT可以分为平面型和沟槽型两种结构，每种结构都有其独特的特性。

首先我们来看平面型IGBT结构。平面型IGBT的主要构成是PNP结和MOSFET结合而成。它的优点是输射区域尺寸小，寄生二极管的反恢复电压低，适用于高频开关应用。但是由于表面电场强度较高，易发生击穿，因此在高电压应用中不太适用。平面型IGBT采用平面技术制作，制造工艺复杂，成本高。

而沟槽型IGBT则采用了加强型MOSFET的结构设计，通过在N区域中构筑凹槽结构来减小电流密度，从而降低表面电场强度，提高了击穿电压和抗击穿能力。这种结构适用于高电压和高功率应用，具有更高的开关速度和可靠性。同时，沟槽型IGBT也可以采用轻量化设计，适用于高频应用和环境温度较高的场合。

总的来说，平面型IGBT适合于高频开关应用，而沟槽型IGBT适合于高电压和高功率应用。不同结构的IGBT在不同领域都有着广泛的应用，对于提高功率器件的性能和效率起着至关重要的作用。在未来的发展中，IGBT技术将进一步完善，应用范围也将更加广泛。