金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。MOSFET的结构图包括栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）等部分。

MOSFET的特性主要包括雪崩击穿电压、漏电流、开关速度等。雪崩击穿电压是指在一定电压下，MOSFET会进入雪崩击穿区，电流急剧增加，这是MOSFET常见的故障之一。漏电流是指在关断状态下，MOSFET的漏电流较小，如果漏电流过大会导致功耗增加。开关速度是指MOSFET从导通到截止或从截止到导通的时间，开关速度快可以提高设备的性能。

MOSFET的作用主要有两个方面：一是作为电压控制器件，可以根据栅极电压的变化来控制漏极与源极之间的电流，实现信号的放大和处理；二是作为功率开关器件，可以在高频率下实现高效的电流控制，广泛应用于逆变器、电源开关、电机驱动器等领域。

总的来说，MOSFET作为一种重要的半导体器件，在电子领域有着广泛的应用。通过了解其结构图、特性与作用，可以更好地理解MOSFET的工作原理，为电子设备的设计和应用提供参考。