MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）和晶闸管是常见的半导体器件，它们在电路中扮演着重要的角色。尽管它们都是用于电流控制的器件，但两者之间存在着一些明显的区别。

首先，MOS管是一种场效应晶体管，通过控制栅极电压来控制导通的电流。它的结构包括金属栅极、氧化物绝缘层和半导体衬底。当栅极上施加一个电压时，会在氧化物绝缘层下形成电场，进而使得导通道的电阻发生变化，从而控制了整体的导通状态。与之相比，晶闸管是一种功率器件，通过控制触发源电压或电流来控制导通状态。

其次，MOS管在高频电路中有较好的性能，具有高速开关和低功耗的特点。而晶闸管则在高功率应用中较为常见，例如用于电机控制等场合。同时，由于MOS管的栅极电压不需要连续维持，因此在控制方面更加灵活，而晶闸管需要维持触发源的电流或电压来保持导通状态。

另外，MOS管可以实现双向导通，即在正向和反向两个方向上都能导通电流，而晶闸管只能在一个方向上导通。这使得MOS管在一些应用中更加灵活，例如在直流电动机的控制中。

总的来说，虽然MOS管和晶闸管都是半导体器件，但两者在结构、工作原理和应用方面存在较大的区别。在选择使用时，需要根据具体的应用场景和需要的性能特点来做出选择。