红外发射管是一种常见的电子器件，广泛应用于红外通信、红外遥控、红外传感等领域。它可以将电能转换为红外光能，然后通过空气等媒介传播。而红外发射管的发光效率在这些应用中起着决定性的作用。

发光效率是指红外发射管将电能转化为发光能量的比例。在红外发射管的工作过程中，电流通过半导体材料，激发材料中的电子，使其跃迁到较高能级。当电子重新回到较低能级时，会释放出能量，并以光的形式辐射出去。因此，红外发射管的发光效率与半导体材料的性能密切相关。

目前，常用的红外发射管材料有砷化镓(GaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化镓(GaP)等。这些材料在制备过程中都会引入一定的杂质，如硅(Si)、锌(Zn)等。这些杂质的存在会影响材料的晶格结构，从而影响到发光效率。因此，对红外发射管材料进行精密控制和优化是提高发光效率的重要方法之一。

此外，红外发射管的结构和工艺也会对发光效率产生影响。常见的结构有PN结构和PN结构加上透镜结构，透镜结构可以提高红外辐射的聚焦效果，进而提高发光效率。在制备过程中，还可以采用先进的工艺技术，如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等，来改善材料的结晶质量和薄膜的均匀性，从而提高发光效率。

此外，温度也是影响红外发射管发光效率的重要因素。在工作过程中，红外发射管会受到外界环境的影响，如温度的变化。当环境温度过高或过低时，会影响材料的导电性和载流子浓度，进而影响发光效率。因此，要保持红外发射管在适宜的工作温度范围内，以确保其发光效率的稳定和提高。

总之，红外发射管的发光效率是其性能的重要指标之一，其受到半导体材料的性能、结构和工艺的影响。通过精密控制和优化材料的晶格结构、采用先进的制备工艺技术、合理调节工作温度等方法，可以有效提高红外发射管的发光效率，满足不同领域的需求。随着科技的不断进步和发展，相信红外发射管的发光效率会不断提升，为红外通信、红外遥控、红外传感等领域的发展做出更大的贡献。