雪崩二极管（Avalanche Diode）是一种特殊的二极管，其工作原理基于雪崩击穿效应。雪崩击穿效应是指当PN结反向偏置时，电子在晶体中获得足够能量，足以激发更多的电子-空穴对，形成电子雪崩，导致电流急剧增大。

工作原理：

1. 反向偏置： 在雪崩二极管中，PN结是反向偏置的。这意味着P型半导体的端子连接到N型半导体的端子，形成了一个电场，阻止电子和空穴的自由扩散。

2. 雪崩击穿： 当反向电压达到一定值时，电场足以加速穿越PN结的少数载流子（电子或空穴），使其获得足够的能量，能够撞击晶格中的原子，产生新的电子-空穴对。这种过程是一个自我加强的过程，称为雪崩击穿，导致电流迅速增加。

3. 保护应用： 雪崩二极管常用于保护电子设备免受过电压的损害。当电路中的电压超过设定值时，雪崩二极管会进入雪崩击穿状态，将过电压引导到地，保护其他部件免受损害。

发展史：

• 1950s： 雪崩二极管的概念首次由Werner Jacobi提出，并在1952年被Gunnar Ljungström用于稳定电流源。

• 1960s： 在这个时期，雪崩二极管开始在电子设备中用作过电压保护元件。它们的高响应速度和可靠性使其成为电路保护的理想选择。

• 今天： 随着技术的发展，雪崩二极管广泛用于高电压、高频率和射频应用，包括雷达、通信系统、医疗设备等领域。它们的优点包括快速响应、低漏电流和高可靠性。

总体而言，雪崩二极管在电子领域中发挥着重要作用，特别是在过电压保护方面。其发展历史与半导体技术的进步和电子设备对可靠性的不断要求密切相关。