MOS管，即金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET），具有三个主要的电极，分别是源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。以下是MOS管三个极的判定：

1. 源极（Source）：

• 在N型MOSFET中，源极通常连接到N型半导体，而在P型MOSFET中，源极通常连接到P型半导体。在符号图中，源极一般用一个箭头表示，并且箭头指向半导体材料。例如，对于N型MOSFET，箭头指向半导体；对于P型MOSFET，箭头则指向源极。

2. 漏极（Drain）：

• 漏极也连接到半导体，类似于源极。在N型MOSFET中，漏极连接到N型半导体；在P型MOSFET中，漏极连接到P型半导体。在符号图中，漏极一般用一个带箭头的线表示，箭头指向半导体。

3. 栅极（Gate）：

• 栅极用来控制MOSFET的导电性。在符号图中，栅极一般用一个平行的线表示，平行线与半导体之间有一些间隙。电场通过栅极的控制可以调整半导体中的载流子分布，从而改变MOSFET的导电性。

判定一个MOSFET中的三个极的方法如下：

• 查看元件的标志：通常在元件的封装上会标有引脚编号，通过查看这些标志可以知道哪一个引脚对应源极、漏极和栅极。

• 查看符号图：MOSFET的符号图中会明确标出源极、漏极和栅极的位置，通过对比符号图可以确认各个引脚的作用。

需要注意的是，N型MOSFET和P型MOSFET在源极和漏极的连接方向上是相反的，因此在判定时需要考虑器件的型号和工作方式。