IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）被称为由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成的器件，这是因为它在结构上结合了这两种不同类型晶体管的优点。

结构特点：

1. BJT部分： IGBT的核心结构包含一个类似于双极型晶体管的 NPN 或 PNP 型结构，即具有三个不同掺杂的半导体区域。这部分起到了放大电流的作用。

2. MOSFET部分： IGBT的控制部分是一个金属氧化物半导体场效应晶体管，也就是MOSFET。这部分用于控制电流的流动，类似于MOSFET的开关特性。

工作原理：

在正常工作情况下，当施加于MOSFET栅极的控制电压使得MOSFET导通时，BJT部分的电流得以流动，实现了电流的放大。同时，由于MOSFET的控制，可以灵活地控制电流的导通和截断，实现对电流的精确控制。

优点：

1. 高输入阻抗： MOSFET部分的高输入阻抗使得控制电流的需求较小，降低了功耗。

2. 高电流放大因子： BJT部分提供了高电流放大因子，使得在MOSFET的控制下可以控制更大的电流。

3. 可控性好： MOSFET控制电流的特性使得IGBT具有可控性好的特点，适用于高压、高电流的场合。

4. 适用于高频应用： 由于MOSFET的高频特性，IGBT适用于高频的应用场景。

总的来说，IGBT充分结合了BJT和MOSFET的优点，既具有BJT的电流放大能力，又具有MOSFET的高输入阻抗和可控性。这使得IGBT在许多功率电子应用中得到了广泛的应用，例如变频器、电力调制、交流传动等领域。