IRF630 是一款 N 沟道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），常用于功率放大器、开关电源和其他高功率应用。以下是 IRF630 的一些基本信息，包括中文资料、PDF 数据、参数和引脚图。请注意，具体的数据可能会因制造商而异，建议查阅相关供应商的官方数据表以获取最准确的信息。

IRF630 基本参数：

1. 导通电阻（Rds(on)）： 典型值为 0.4 Ω。

2. 最大耗散功率（Pd）： 典型值为 75 W。

3. 最大漏极-源极电压（Vds）： 典型值为 200 V。

4. 最大门源电压（Vgs）： 典型值为 ±20 V。

5. 最大漏极电流（Id）： 典型值为 9 A。

6. 阈值电压（Vth）： 典型值为 2 V 到 4 V。

7. 开关时间（t(on), t(off))： 典型值为数十纳秒。

8. 工作温度范围（Tj）： 典型值为 -55°C 到 +150°C。

IRF630 引脚图：

IRF630 一般具有三个引脚，其中典型的 TO-220 封装引脚分配如下：

1. 引脚 1（GATE）： 门极，用于控制 MOSFET 的导通和截止。

2. 引脚 2（DRAIN）： 漏极，与电源连接。

3. 引脚 3（SOURCE）： 源极，与负载和地连接。

请注意，IRF630 的具体引脚分配可能会因不同封装而异。为获得最准确和详细的信息，请查阅 IRF630 的相关供应商的官方数据表。