P沟道场效应管（P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，P-MOSFET）是一种场效应管，其中“P”表示正电荷载流子是空穴（holes）。

P沟道场效应管的工作原理：

1. 基本结构： P-MOSFET有一个P型衬底，其上覆盖着绝缘层（通常是二氧化硅），而绝缘层上又覆盖了金属或导电材料的栅极。

2. 空穴导电： 当一个正电压（称为栅源电压）被应用到栅极上时，这个正电压会产生电场，使得P型衬底中的空穴移动。由于电场的作用，空穴在P型衬底中被吸引到与绝缘层接触的地方，形成一个空穴通道。

3. 栅控制： 当空穴通道形成时，这个通道连接了源极和漏极之间，允许电流流动。通过调整栅源电压，可以控制栅与衬底之间的电场，从而调整或关闭空穴通道，实现对电流的控制。

4. 导通和截止： 当栅源电压足够高时，空穴通道完全形成，P-MOSFET导通。当栅源电压降低至一定水平以下时，通道截断，P-MOSFET停止导电。

P-MOSFET导通条件：

• P-MOSFET导通时，栅源电压必须为负值（相对于衬底）。这是因为P-MOSFET中的空穴是正电荷载流子，需要通过栅源电压的负值来吸引和形成空穴通道。

• 通常，P-MOSFET导通的栅源电压是负的（例如，栅极电位低于源极），以使得栅源电场有助于形成空穴通道。

总的来说，P-MOSFET通过调整栅源电压，利用栅源电场的效应来控制空穴通道的形成，从而实现对电流的控制。这使得P-MOSFET在数字电路中被广泛应用，例如CMOS技术中的P-MOSFET和N-MOSFET组合用于构建逻辑门和其他数字电路。