肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种半导体器件，由金属与半导体形成的肖特基势垒所构成。以下是肖特基势垒二极管的结构和特点：

结构：
肖特基势垒二极管的结构相对简单，由金属阳极（阴性电极）和P型或N型半导体阳极（正向电极）构成。金属阳极与半导体阳极之间形成肖特基势垒，取代了常规PN结二极管中的P区或N区结构。

特点：

1. 低正向压降：肖特基势垒二极管在正向电压下具有较低的压降，一般为0.2至0.5伏之间，相对于常规晶体管具有更低的正向压降。这使得肖特基势垒二极管在需要较低功耗和较高效率的应用中非常有用。

2. 快速开关速度：由于肖特基势垒二极管的结构简单且无扩散区，电荷注入和排出速度较快，使其具有非常快速的开关速度。这种优势使肖特基势垒二极管可以在高频和高速应用中发挥作用。

3. 低反向漏电流：肖特基势垒二极管在正向电压下导通，但在反向电压下几乎没有漏电流。这是因为肖特基势垒形成了金属与P型或N型半导体之间的势垒，使得反向漏电流非常小。

4. 高温稳定性：肖特基势垒二极管具有良好的高温稳定性能。在高温环境下，肖特基势垒二极管不易失效，并且可以维持稳定的性能。

5. 正反向截止速度快：由于肖特基势垒二极管的肖特基势垒特性，当施加的电压改变时，其截止状态的变化速度非常快。

总之，肖特基势垒二极管由金属与半导体的肖特基势垒形成，具有低正向压降、快速开关速度、低反向漏电流和高温稳定性等特点。这使得它在很多应用中表现出优越性能，如电源管理、高速开关、射频应用、功率电子和电子电路保护等领域。