热电子晶体管（Hot Electron Transistor，HET）是一种电子器件，它是一种双极性晶体管，其操作原理基于热电子效应，它的工作原理如下：

1. 发射：热电子晶体管的操作始于电子的热发射。在基底-发射极结构中，通过加热发射极，电子从发射极表面发射出来，形成电子云。这个过程通常需要提供高能量的电子，以克服发射电子的功函数。

2. 收集：发射的电子云被收集到基底电极中。基底电极通常具有较低的工作函数，这使得它能够有效地吸引和收集发射的电子。

3. 放大：一旦电子进入基底电极，它们可以在基底-集电极结构中进行放大。这是通过控制基底电极与集电极之间的电压来实现的。当基底电极与集电极之间的电压增加时，它可以引导更多的电子流经基底，从而放大电流。

4. 输出：集电极收集到的电流可用作热电子晶体管的输出。通过调整基底-集电极电压，可以控制电流的放大倍数，从而实现电流放大功能。

几种典型的热电子晶体管包括：

1. 合金热电子晶体管：这种热电子晶体管使用合金作为发射极，合金的热性质使得它能够产生高能量的热电子，从而实现电流放大。

2. 金属-绝缘体-金属（MIM）热电子晶体管：这种热电子晶体管使用金属-绝缘体-金属结构，其中绝缘体层用作发射区，电子从绝缘体表面发射。

3. 固态热电子晶体管：这种热电子晶体管使用固态材料，如半导体，作为发射极。通过在半导体材料中引入缺陷或热电子发射增强结构，可以实现高效的热电子发射。

热电子晶体管通常用于射频（RF）和微波电子设备中，因为它们具有较高的频率响应和电流放大能力。但是，它们需要在高温度下运行，通常需要附加散热和温度控制措施。与传统的晶体管相比，热电子晶体管已经较少使用，但在某些特定应用中仍然有价值。