场效应管(MOSFET) SPW47N60C3 TO-247中文介绍，英飞凌(INFINEON)

更新时间：2025-12-17

英飞凌 SPW47N60C3 TO-247 场效应管详细介绍

SPW47N60C3 是一款由英飞凌 (Infineon) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件具有高耐压、低导通电阻、高速开关性能等特点，适用于各种高功率应用，如电源转换、电机驱动、焊接设备、照明设备等。

一、产品特性

* 耐压： 600V

* 电流： 47A

* 导通电阻 (R_DS(on))：典型值 0.045Ω

* 开关速度：典型值 12ns

* 封装： TO-247

* 工作温度： -55°C 至 +175°C

二、结构与工作原理

SPW47N60C3 采用 N 沟道增强型 MOSFET 结构，其主要组成部分包括：

* 栅极 (Gate)：控制电流流过器件的关键部分，通常为金属或多晶硅制成。

* 漏极 (Drain)：电流流出器件的端点。

* 源极 (Source)：电流流入器件的端点。

* 沟道 (Channel)：连接漏极和源极的硅材料，控制电流流动的通道。

* 氧化层 (Oxide)：覆盖在沟道上的绝缘层，防止栅极电压直接影响沟道。

* 衬底 (Substrate)：提供沟道形成的基底。

当栅极电压为零时，沟道处于关闭状态，电流无法流过器件。当栅极电压升高到一定值时，沟道形成，电流可以流过器件。沟道电流的大小取决于栅极电压和沟道电阻。

三、参数指标分析

* 耐压 (V_DSS)：指器件所能承受的漏极-源极间最大电压。SPW47N60C3 的耐压为 600V，适合在高压环境下工作。

* 电流 (I_D)：指器件能够承受的最大连续电流。SPW47N60C3 的电流为 47A，可以满足大电流应用需求。

* 导通电阻 (R_DS(on))：指器件处于导通状态时的漏极-源极间电阻。SPW47N60C3 的导通电阻典型值仅为 0.045Ω，意味着在导通状态下，器件的压降很小，可以有效降低功率损耗。

* 开关速度 (t_on, t_off)：指器件从关闭状态转换到导通状态，以及从导通状态转换到关闭状态所需的时间。SPW47N60C3 的开关速度典型值仅为 12ns，说明该器件具有高速开关性能，能够有效提高电路的效率。

* 工作温度 (T_j)：指器件能够正常工作所允许的温度范围。SPW47N60C3 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于各种恶劣环境。

四、应用场景

SPW47N60C3 凭借其优异的性能，在各种高功率应用中都具有广泛的应用前景：

* 电源转换：作为开关器件，可以实现高效的直流-直流 (DC-DC) 转换，应用于各种电源供应系统，如计算机电源、充电器、UPS 等。

* 电机驱动：可以用于控制电机，实现高效、精确的电机控制，应用于各种工业设备、家用电器、电动汽车等。

* 焊接设备：作为开关器件，可以控制焊接电流，实现稳定、高效的焊接过程，应用于各种焊接设备，如电弧焊机、激光焊接机等。

* 照明设备：作为开关器件，可以控制照明灯具，实现高效、节能的照明效果，应用于各种LED 照明系统。

五、与其他 MOSFET 的比较

与其他 MOSFET 相比，SPW47N60C3 具有以下优势：

* 更高的耐压：相比一些低耐压 MOSFET，SPW47N60C3 的耐压更高，可以承受更高的电压，应用范围更广。

* 更低的导通电阻：相比一些高导通电阻 MOSFET，SPW47N60C3 的导通电阻更低，可以有效降低功率损耗，提高效率。

* 更快的开关速度：相比一些低开关速度 MOSFET，SPW47N60C3 的开关速度更快，能够有效提高电路的效率，实现更快的响应速度。

六、注意事项

* 栅极电压：栅极电压不能超过额定值，否则会导致器件损坏。

* 散热：由于器件工作时会产生热量，需要采取措施进行散热，例如使用散热器或风扇。

* 反向电流：需要注意器件的反向电流，并采取措施防止反向电流过大。

* 静电保护：需要注意静电对器件的影响，并采取措施进行静电保护，例如使用防静电包装或佩戴防静电手环。

七、总结

英飞凌 SPW47N60C3 TO-247 场效应管是一款高性能的功率 MOSFET，具有高耐压、低导通电阻、高速开关性能等特点，适用于各种高功率应用。该器件能够提供可靠、高效、稳定的性能，为各种应用提供有效保障。在使用该器件时，需要注意一些注意事项，以确保器件的安全运行。

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