场效应管(MOSFET) BSC109N10NS3G TDSON-8中文介绍，英飞凌(INFINEON)

英飞凌 BSC109N10NS3G TDSON-8 场效应管 (MOSFET) 中文介绍

概述

英飞凌 BSC109N10NS3G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TDSON-8 封装，具有低导通电阻 (R_DS(on))、高开关速度和优异的热性能等特点，适用于各种高性能电源应用。

产品规格参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 漏极-源极电压 (V_DSS) | -100 | -200 | V |

| 漏极电流 (I_D) | 100 | 109 | A |

| 导通电阻 (R_DS(on)) @ V_GS = 10 V, I_D = 50 A | 9.5 | 13 | mΩ |

| 栅极-源极电压 (V_GS(th)) | 2.5 | 4 | V |

| 输入电容 (C_iss) | 1250 | | pF |

| 输出电容 (C_oss) | 1250 | | pF |

| 反向传输电容 (C_rss) | 50 | | pF |

| 开关时间 (t_on, t_off) | | 20 | ns |

| 工作温度 | -55 | +175 | ℃ |

| 封装类型 | TDSON-8 | | |

产品特点

* 低导通电阻 (R_DS(on))： 9.5 mΩ (典型值，V_GS = 10 V, I_D = 50 A)，大幅降低导通损耗，提高效率。

* 高开关速度： 开关时间 (t_on, t_off) 典型值小于 20 ns，适用于高频应用。

* 优异的热性能： TDSON-8 封装，具有良好的散热性能，能够承受高功率应用。

* 高可靠性： 采用英飞凌成熟的工艺技术，确保产品的高可靠性。

* 宽工作温度范围： 工作温度范围为 -55 ℃ 至 +175 ℃，适应各种严苛环境。

应用领域

BSC109N10NS3G 适用于各种高性能电源应用，例如：

* 服务器和数据中心电源: 高效率、高功率密度电源。

* 笔记本电脑和移动设备电源: 小型化、高效率电源。

* 工业设备电源: 高可靠性、高耐用性电源。

* 汽车电子电源: 高性能、高可靠性电源。

* 消费电子电源: 高效率、低功耗电源。

工作原理

BSC109N10NS3G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 结构： MOSFET 由一个 P 型衬底、一个 N 型沟道、一个金属栅极、两个 PN 结（源极和漏极）组成。

* 导通： 当栅极电压 (V_GS) 大于阈值电压 (V_GS(th)) 时，栅极电场会将衬底中的空穴排斥到沟道中，形成一个导电通道，使源极和漏极之间可以导通电流。

* 截止： 当栅极电压低于阈值电压时，沟道被关闭，源极和漏极之间不再导通电流。

应用实例

以下是一个使用 BSC109N10NS3G 的 DC-DC 降压转换器电路示例：

电路图:


电路工作原理:

1. 当输入电压 (V_IN) 加到电路中时，MOSFET 开启，电流流过电感 (L) 和负载 (R_L)。

2. 电感 (L) 将能量存储起来。

3. 当 MOSFET 关闭时，电感 (L) 中的能量释放到负载 (R_L) 中。

4. 通过控制 MOSFET 的开关频率和占空比，可以调节输出电压 (V_OUT)。

选择注意事项

选择 BSC109N10NS3G 时，需要考虑以下因素：

* 工作电压： 确保输入电压 (V_IN) 和输出电压 (V_OUT) 符合 MOSFET 的额定电压。

* 电流： 确保电流 (I_D) 不超过 MOSFET 的额定电流。

* 温度： 确保工作温度不超过 MOSFET 的额定温度。

* 散热： 需要考虑散热问题，选择合适的散热器，确保 MOSFET 的工作温度在安全范围内。

总结

BSC109N10NS3G 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于各种高性能电源应用。其低导通电阻、高开关速度和优异的热性能使其成为现代电源设计中的理想选择。

免责声明： 以上信息仅供参考，请以英飞凌官网上的官方数据手册为准。