意法半导体 STB5N80K5 D2PAK-3(TO-263-3) 场效应管

一、概述

STB5N80K5 D2PAK-3(TO-263-3) 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装，具有良好的性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子应用中，例如开关电源、电机控制、逆变器等。

二、产品特性

* 类型: N 沟道增强型功率 MOSFET

* 封装: D2PAK-3 (TO-263-3)

* 额定电压: 800V (VDSS)

* 最大电流: 5A (ID)

* 导通电阻: 0.085 Ω (RDS(ON))

* 工作温度: -55°C to +150°C (Tj)

* 栅极阈值电压: 2.5V (VGS(th))

* 栅极电荷: 60nC (Qg)

* 反向恢复时间: 120ns (trr)

* 正向传导电压: 1.2V (VF)

三、产品优势

* 高额定电压: 800V 的额定电压，适用于高电压应用。

* 低导通电阻: 0.085 Ω 的导通电阻，能够有效降低功率损耗。

* 高电流容量: 5A 的最大电流，能够满足各种功率需求。

* 良好的开关性能: 120ns 的反向恢复时间，能够实现快速开关转换，提高效率。

* 宽工作温度范围: -55°C to +150°C 的工作温度范围，适应各种环境条件。

* D2PAK-3 封装: D2PAK-3 封装具有良好的散热性能，适合高功率应用。

四、产品应用

STB5N80K5 D2PAK-3 广泛应用于各种电力电子应用中，例如：

* 开关电源: 用于电源转换、电压调节等应用。

* 电机控制: 用于电机驱动、速度控制等应用。

* 逆变器: 用于直流电转换为交流电等应用。

* 太阳能/风能系统: 用于能量转换、存储等应用。

* 照明: 用于LED 驱动、电源管理等应用。

* 工业自动化: 用于电机控制、传感等应用。

五、技术参数

| 参数 | 典型值 | 单位 | 说明 |

|---|---|---|---|

| 漏极-源极间电压 (VDSS) | 800 | V | 最大工作电压 |

| 漏极电流 (ID) | 5 | A | 最大工作电流 |

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 0.085 | Ω | 栅极电压为 10V 时测得 |

| 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 | V | 漏极电流为 250μA 时测得 |

| 栅极电荷 (Qg) | 60 | nC | 栅极电压从 0V 变为 10V 时测得 |

| 反向恢复时间 (trr) | 120 | ns | 漏极电流从 5A 降至 1A 时测得 |

| 正向传导电压 (VF) | 1.2 | V | 漏极电流为 1A 时测得 |

| 工作温度 (Tj) | -55 to +150 | °C | 工作结温范围 |

| 封装 | D2PAK-3 (TO-263-3) | | |

六、使用注意事项

* 使用前请仔细阅读产品手册，了解详细参数和使用注意事项。

* 选择合适的散热器，保证器件工作温度不超过最大允许值。

* 确保器件安装牢固，防止松动或短路。

* 避免器件过载，超过额定电压或电流可能会损坏器件。

* 注意静电防护，避免静电损坏器件。

七、结论

STB5N80K5 D2PAK-3 是一款性能可靠、应用广泛的功率 MOSFET。其高电压、低导通电阻、高电流容量等特性使其成为电力电子应用的理想选择。选择合适的散热器和注意使用注意事项，可以最大限度地发挥该器件的性能。