威世(VISHAY) SUM85N15-19-E3 TO-263 场效应管(MOSFET) 中文介绍

概述

SUM85N15-19-E3 TO-263 是一款由威世(VISHAY) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。它具备较低的导通电阻 (RDS(ON)) 和快速的开关速度，使其成为各种应用的理想选择，例如电源转换、电机控制、照明系统等。

特性

* N 沟道增强型 MOSFET: N 沟道增强型 MOSFET 意味着该器件需要一个正向栅极电压才能导通电流。

* TO-263 封装: TO-263 封装是一种常见的功率半导体封装，它提供了良好的热性能和机械强度。

* 低导通电阻 (RDS(ON)) : 该器件的 RDS(ON) 很低，意味着在导通状态下，它会产生较少的功率损耗，提高效率。

* 快速开关速度: SUM85N15-19-E3 具有较快的开关速度，使其适用于需要快速响应的应用。

* 高耐压: 该器件的耐压为 150 V，使其能够承受较高的电压。

* 高电流容量: 该器件的电流容量为 85 A，使其能够处理大电流。

* 低栅极电荷 (Qg): 低栅极电荷可以提高开关效率，减少功耗。

* 高可靠性: 威世(VISHAY) 的 MOSFET 以其高可靠性而闻名，该器件也不例外。

应用

* 电源转换: SUM85N15-19-E3 可用于各种电源转换应用，例如开关电源、DC-DC 转换器等。

* 电机控制: 该器件可以用于电机控制应用，例如速度控制、方向控制和扭矩控制。

* 照明系统: SUM85N15-19-E3 可用于各种照明系统，例如 LED 照明、荧光灯等。

* 其他应用: 该器件还适用于其他各种应用，例如电池充电器、逆变器等。

参数

以下列出了 SUM85N15-19-E3 的主要参数：

| 参数 | 值 | 单位 |

|---|---|---|

| 导通电阻 (RDS(ON)) | 1.9 mΩ | Ω |

| 耐压 (VDS) | 150 | V |

| 电流容量 (ID) | 85 | A |

| 栅极电压 (VGS) | ±20 | V |

| 栅极电荷 (Qg) | 80 | nC |

| 开关速度 (Ton/Toff) | < 20 ns | ns |

| 封装 | TO-263 | - |

| 工作温度 | -55°C 到 +175°C | °C |

性能分析

导通电阻 (RDS(ON))

SUM85N15-19-E3 的 RDS(ON) 为 1.9 mΩ，在导通状态下，它会产生较少的功率损耗，提高效率。较低的 RDS(ON) 可以使设备在更高的电流下工作，并提供更好的热性能。

开关速度

该器件具有快速的开关速度，这意味着它可以在很短的时间内打开和关闭，从而提高效率。快速开关速度对于需要快速响应的应用至关重要，例如电源转换和电机控制。

耐压和电流容量

SUM85N15-19-E3 具有 150 V 的耐压和 85 A 的电流容量，使其能够承受高电压和高电流，满足各种应用的要求。

栅极电荷 (Qg)

该器件的栅极电荷 (Qg) 较低，这可以提高开关效率，减少功耗。较低的 Qg 意味着更少的能量需要转移到栅极以打开或关闭 MOSFET，从而减少功耗。

工作温度

SUM85N15-19-E3 的工作温度范围为 -55°C 到 +175°C，使其适用于各种环境，包括恶劣条件。

优势

* 高效率: 低的 RDS(ON) 和快速的开关速度提高了效率，降低了功耗。

* 高性能: 高耐压、高电流容量和快速开关速度使其适用于各种高性能应用。

* 高可靠性: 威世(VISHAY) 的 MOSFET 以其高可靠性而闻名，该器件也不例外。

* 广泛的应用: SUM85N15-19-E3 适用于各种应用，包括电源转换、电机控制、照明系统等。

结论

SUM85N15-19-E3 TO-263 是一款功能强大且可靠的 N 沟道增强型功率 MOSFET，其低导通电阻、快速开关速度、高耐压和高电流容量使其成为各种应用的理想选择。其优异的性能和高可靠性使其成为电源转换、电机控制、照明系统等应用中不可或缺的器件。