威世 (VISHAY) 场效应管 SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 中文详细介绍

一、产品概述

SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 是一款由威世 (VISHAY) 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，属于 Si980x 系列。该器件采用 TO-220AB 封装，具有高电压、低导通电阻和快速开关速度等特点，适用于各种电源转换、电机驱动、焊接设备和工业控制等领域。

二、产品特点

* 高电压等级： 额定耐压为 900V，满足高压应用需求。

* 低导通电阻： 典型导通电阻 (RDS(on)) 为 0.085Ω，有效降低功耗，提高效率。

* 快速开关速度： 具有快速的开关速度，提高系统效率和响应速度。

* 高功率密度： 小巧的 TO-220AB 封装，可实现高功率密度设计。

* 优异的可靠性： 经过严格的测试和认证，确保产品的高可靠性。

三、产品参数

| 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

|---|---|---|---|

| 额定电压 (VDSS) | 900 | 900 | V |

| 额定电流 (ID) | 38 | 42 | A |

| 导通电阻 (RDS(on)) | 0.085 | 0.12 | Ω |

| 门槛电压 (VGS(th)) | 2.5 | 4 | V |

| 输入电容 (Ciss) | 2100 | | pF |

| 输出电容 (Coss) | 160 | | pF |

| 反向传输电容 (Crss) | 25 | | pF |

| 开关时间 (ton/toff) | 38/25 | | ns |

| 工作温度 | -55~150 | | ℃ |

四、产品应用

SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 凭借其优异的性能，在多个领域都有着广泛的应用，例如：

* 电源转换： 适用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器等电源转换应用。

* 电机驱动： 适用于电机控制系统，如直流电机、交流电机等。

* 焊接设备： 适用于电弧焊、点焊等焊接设备。

* 工业控制： 适用于工业自动化设备、机器人等工业控制系统。

* 其他应用： LED 照明、太阳能电池板等。

五、产品工作原理

SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其工作原理如下：

* 结构： MOSFET 采用金属-氧化物-半导体结构，由金属栅极、氧化层、半导体硅基片和漏极、源极组成。

* 工作原理： 当栅极电压 (VGS) 低于门槛电压 (VGS(th)) 时，沟道关闭，器件处于截止状态，电流无法通过。当 VGS 大于 VGS(th) 时，栅极电压在氧化层上建立电场，吸引硅基片中的电子形成导电沟道，器件导通。

* 导通电阻： 导通电阻 (RDS(on)) 是 MOSFET 导通状态下漏极和源极之间的电阻，它主要受沟道宽度和长度、器件材料等因素影响。

* 开关速度： 开关速度主要由 MOSFET 的输入电容 (Ciss)、输出电容 (Coss) 和反向传输电容 (Crss) 决定。

六、产品封装

SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 采用 TO-220AB 封装，其引脚定义如下：

* 引脚 1： 漏极 (D)

* 引脚 2： 源极 (S)

* 引脚 3： 栅极 (G)

七、产品使用注意事项

* 在使用 SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 时，需要特别注意以下几点：

* 避免超过器件的额定电压和电流。

* 在使用前，确保器件的安装和散热良好。

* 选择合适的驱动电路，避免栅极电压过高或过低。

* 在高频应用中，需要考虑器件的开关速度和寄生参数。

* 避免使用在潮湿或腐蚀性环境中。

八、产品优势

与其他同类产品相比，SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 具有以下优势：

* 高性价比： 拥有良好的性能与价格比，提供更高的性价比。

* 可靠性高： 经过严格的测试和认证，确保产品的可靠性和稳定性。

* 应用范围广： 适用于各种电源转换、电机驱动、焊接设备和工业控制等领域。

九、产品总结

SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 是一款性能优异、应用广泛的 N 沟道功率 MOSFET，其高电压等级、低导通电阻和快速开关速度等特点，使其成为各种高功率应用的理想选择。

十、参考资源

* 威世 (VISHAY) 公司官网：/

* SIZ980BDT-T1-GE3 PPAIR6*5 数据手册：